STMicroelectronics SMBJ8.5CA-TR
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Stock
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403,022
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Authorized Distributors
6
6
6
Polarity
Bidirectional
Bidirectional
Bidirectional
Number of Unidirectional Channels
-
-
-
Number of Bidirectional Channels
1
-
-
Breakdown Voltage
9.9 V
9.92 V
9.92 V
Clamping Voltage
19.5 V
14.4 V
14.4 V
Peak Pulse Power
600 W
600 W
600 W
Peak Pulse Current
22.5 A
4.4 A
4.4 A
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics SMBJ8.5CA-TR suministradas por sus distribuidores.
SMBJ Series 600 W 9.9 V Bi Directional Surface Mount TVS Diode - DO-214AA
TVS Diode, Transil SMBJ, Bidirectional, 8.5 V, 19.5 V, DO-214AA (SMB), 2 Pins
DIODE,TVS,8.5V,600W,SMB; Product Range: Transil SMBJ Series; TVS Polarity: Bidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm: 8.5V; Clamping Voltage Vc Max: 19.5V; Diode Case Style: DO-214AA; No. of Pins: 2Pins; Breakdown Voltage Min: 9.4V; Breakdown Voltage Max: -; Peak Pulse Power Dissipation: 600W; Automotive Qualification Standard: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Alternate Case Style: DO-214AA; Capacitance Cd @ Vr Typ: 2800pF; Clamping Voltage @ 8/20µs Max: 19.5V; Diode Type: Bidirectional TVS; External Depth: 3.56mm; External Length / Height: 2.44mm; External Width: 5.59mm; Peak Pulse Current Ippm: 205A; Power Dissipation Pd: 600W; Reverse Leakage Current Max: 5µA; SMD Marking: BBC; Stand-off Voltage: 8.5V; Test Current: 1mA; Uni / Bi Directional Polarity: Bidirectional
Diode,tvs,8.5V,600W,smb; Rango De Producto:Serie Transil Smbj; Polaridad Tvs:Bidireccional; Tensión Stand-Off Inversa, Vrwm:8.5V; Estilo De La Carcasa Del Diodo:Do-214Aa; Núm. De Contactos:2; Tensión De Breakdown Mín.:9.4V |Stmicroelectronics SMBJ8.5CA-TR
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSMB
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Breakdown Voltage9.9 V
Capacitance500 pF
Clamping Voltage19.5 V
CompositionZener
DirectionBidirectional
Element ConfigurationSingle
ESD ProtectionNo
Leakage Current200 nA
Max Breakdown Voltage9.9 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)8.5 V
Max Reverse Leakage Current200 nA
Max Surge Current1 mA
Min Breakdown Voltage9.4 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Bidirectional Channels1
Number of Elements1
Operating Supply Voltage8.5 V
PackagingCut Tape
Peak Pulse Current22.5 A
Peak Pulse Power 600 W
Peak Reverse Current20 µA
PolarityBidirectional
Power Dissipation5 W
Power Line ProtectionNo
Power Rating600 W
Reverse Breakdown Voltage9.4 V
Reverse Standoff Voltage8.5 V
Schedule B8541100080
Series Resistance7.18 Ω
TerminationSMD/SMT
Test Current1 mA
Voltage Rating (DC)8.5 V
Dimensions
Height2.45 mm
Length4.6 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsMIL-STD-750
REACH SVHCNo
RoHSCompliant