STMicroelectronics PD85015STR-E
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2019-01-03
LTD Date2019-07-03
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics PD85015STR-E suministradas por sus distribuidores.
15W 13.6V 870MHz LDMOS in powerSO-10RF plastic package
Power LDMOS Transistor N-Channel 40V 5A 4-Pin PowerSO-10RF T/R
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF / RF Mosfet 13.6 V 150 mA 870MHz 16dB 15W PowerSO-10RF (Straight Lead)
16 dB Compliant Surface Mount 870 MHz Tape and Reel 15 W 150 mA 13.6 V
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
POWERSO10 15W 870MHZ 12V LDMOS
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating5 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Frequency870 MHz
Gain16 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Max Frequency1 GHz
Max Operating Temperature165 °C
Max Output Power20 W
Max Power Dissipation59 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Output Power15 W
PackagingTape and Reel
Power Dissipation59 W
Test Current150 mA
Test Voltage13.6 V
Voltage Rating40 V
Fichas técnicas y documentos
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