STMicroelectronics PD55003-E
$ 6.917
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -9.44%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics PD55003-E.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de STMicroelectronics PD55003-E desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 SnapEDA | Footprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 6.917
$ 5.484
Stock
271,720
234,846
Authorized Distributors
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vds)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
2.5 A
2.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
31.7 W
31.7 W
Input Capacitance
-
-
Componentes relacionados
NXP SemiconductorsMRF1513NT1
Lateral N-Channel Broadband Rf Power Mosfet, 520 Mhz, 3 W, 12.5 V
InfineonIRLML2030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics PD55003-E suministradas por sus distribuidores.
PD55003-E Series 500 MHz 3 W N-Channel RF Power Transistor - POWERSO-10RF
3W 12.5V 500MHz LDMOS in PowerSO-10RF plastic package
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, RF, N-CH, 40V, 2.5A, POWERSO; Drain Source Voltage Vds: 40V; Continuous Drain Current Id: 2.5A; Power Dissipation Pd: 31.7W; Operating Frequency Min: -; Operating Frequency Max: 1GHz; RF Transistor Case: PowerSO-10RF;
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -9.44%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Current Rating2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Frequency500 MHz
Gain14 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Frequency1 GHz
Max Operating Temperature165 °C
Max Output Power3 W
Max Power Dissipation31.7 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage12.5 V
Output Power3 W
Power Dissipation31.7 W
Power Gain14 dB
Schedule B8541290080
Test Current50 mA
Test Voltage12.5 V
Voltage Rating40 V
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height3.5 mm
Length7.5 mm
Width9.4 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics PD55003-E.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant