STMicroelectronics MJD32CT4

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
$ 0.257
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
Future Electronics
2
MJD32CT475002500Tape & Reel
AvnetMJD32CT450002500
5d
NewarkMJD32CT435
Arrow Electronics
3
MJD32CT448501
Verical
3
MJD32CT4197.5002500

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics MJD32CT4.

IHS

Datasheet13 páginasHace 14 años

element14 APAC

Future Electronics

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
STMicroelectronicsMJD32CT4
onsemiNJVMJD32CT4G
onsemiNJVMJD32CT4G
Price @ 1000
$ 0.257
$ 0.281
$ 0.281
Stock
1,126,165
626,788
626,788
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TO-252
DPAK
DPAK
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
-
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.2 V
1.2 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
15 W
15 W
15 W

Cadena de suministros

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Detalles

Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics MJD32CT4 suministradas por sus distribuidores.

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Augswan
Transistor, Bipolar, Si, PNP, Amplifier, Power, VCEO -100V, IC -3A, PD 15W, TO-252
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / TRANS PNP 100V 3A DPAK
Win Source
100V 15W 3A 10@3A4V 1.2V@3A375mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-252-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
100V 15W 25@3A,4V 3A PNP DPAK Bipolar (BJT) ROHS
EBEE
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
Component Sense
TRANSISTOR, BJT, PNP, -100V, -3A, TO-252; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 50hFE; Transis
Farnell
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = -3 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = -100 / DC Current Gain (hFE) = 10 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = -100 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = -5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Power Dissipation (Pd) W = 15 / Package Type = DPAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = -1.2
Distrelec

Imágenes

element14 APAC
TME
element14 APAC
Distrelec
Distrelec
Lanka Micro
RS

Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • MJD32CT4.