STMicroelectronics MJ802
Obsolete
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 3.822
Stock
139,733
213,589
Authorized Distributors
0
6
Mount
Chassis Mount, Through Hole
-
Case/Package
TO-3
TO-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
90 V
90 V
Max Collector Current
30 A
30 A
Transition Frequency
2 MHz
2 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
800 mV
800 mV
hFE Min
25
25
Power Dissipation
200 W
200 W
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-11-10
LTD Date2013-05-10
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics MJ802 suministradas por sus distribuidores.
Bulk Chassis Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 25 @ 7.5A 2V 1mA ICBO 200W 2MHz
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin
Trans GP BJT NPN 90V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Bag
TRANSISTOR, NPN, TO-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 90V; Transition Frequency ft: 2MHz; Power Dissipation Pd: 200W; DC Collector Current: 30A; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transistor Case Style
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:90V; DC Current Gain Min (hfe):25; Package/Case:TO-3; Collector Current @ hfe:7.5µA; DC Collector Current:30A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-3
MountChassis Mount, Through Hole
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage90 V
Collector Emitter Saturation Voltage800 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)90 V
Current Rating30 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4 V
Frequency2 MHz
Gain Bandwidth Product2 MHz
hFE Min25
Max Collector Current30 A
Max Frequency2 MHz
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation200 W
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)90 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant