STMicroelectronics 2STR1215
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Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-04-15
LTD Date2025-10-15
Componentes relacionados
onsemiKSC2757YMTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN SINGLE RF Transistor 120 @ 5mA 10V 50mA 150mW 1.1GHz
Diodes Inc.ZXTN25012EFLTA
Single Bipolar Transistor, NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics 2STR1215 suministradas por sus distribuidores.
2STR1215 Series 15 V 1.5 A 500 mW NPN Bipolar (BJT) Transistor SOT-23-3
Trans GP BJT NPN 15V 1.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Power Bipolar, NPN, 2V, 100mA, SOT-23, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Low voltage fast-switching NPN power transistor
TRANSISTOR, NPN, 15V, 2A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:280hFE; Transistor Case Style:
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -51.89%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)15 V
Collector Emitter Breakdown Voltage15 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)15 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min200
Max Breakdown Voltage15 V
Max Collector Current1.5 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.25 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant