ROHM 2SK3019TL
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NRND
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-11-23
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMN63D8LDW-7
Dual N-Channel 30 V 2.8 O 0.3 W SMT Enhancement Mode MosFet - SOT-363
Diodes Inc.DMN63D8LV-7
Dual N-Channel 30 V 2.8 O 0.45 W SMT Enhancement Mode MosFet - SOT-563
Diodes Inc.DMN3404L-7
N-Channel 30 V 28 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
onsemi3LP01M-TL-E
Tape & Reel (TR) Surface Mount P-Channel Single Mosfet Transistor 100mA Ta 100mA 150mW 130ns
Descripciones
Descripciones de ROHM 2SK3019TL suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 150 mW 30 V 13 Ohm Surface Mount MosFet - EMT-3
ROHM 2SK3019TL N-channel MOSFET Transistor, 0.1 A, 30 V, 3-Pin EMT | ROHM Semiconductor 2SK3019TL
MOSFET, SS SWITCHING; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100mA; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 13ohm; Rds(on) Test ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Mosfet, N Channel, 30V, 100Ma; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:100Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:30V; Resistencia De Activación Rds(On):13Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):4V; Tensión Umbral Vgs:1.5V |Rohm 2SK3019TL
Alias de fabricantes
ROHM tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. ROHM también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 mA
Current1 A
Current Rating100 mA
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.5 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation150 mW
Rds On Max8 Ω
Resistance13 Ω
Rise Time35 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage30 V
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height700 µm
Length1.6 mm
Width800 µm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant