Renesas NP100P06PDG-E1-AY

Name: Renesas NP100P06PDG-E1-AY
Brand: Renesas
SKU: NP100P06PDG-E1-AY

Power MOSFET, P Channel, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

$ 2.766

Production

Página del fabricante Ficha técnica

Precio y existencias

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		NP100P06PDG-E1-AY	2453	1		6,220	4,250	3,080	2,960	2,960
Renesas		NP100P06PDG-E1-AY	892	1		6,590	4,419	3,189	2,548	2,420	43m
DigiKey	3	559-NP100P06PDG-E1-AYCT-ND	892	1	Cut Tape	6,590	4,419	3,189	3,189	3,189
Avnet		NP100P06PDG-E1-AY	0	800					2,766	2,482	1d
Farnell		NP100P06PDG-E1-AY	2453	1		6,263*	4,274*	3,105*	2,876*	2,876*	2h

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Integrated Device Technology

Datasheet8 páginasHace 3 años

Datasheet9 páginasHace 19 años

Datasheet8 páginasHace 3 años

IHS

Renesas

Modelos CAD

Tabla de pines

Número

Categoría

Nombre de visualización y funciones

Información del modelo

Suministrado por	Renesas
Fecha de lanzamiento	Aug 14, 2025
Conforme con IPC	IPC-7351B
Revisión de la guía de estilo	Versión 1.0 - Nov 1, 2024
Fuente de la ficha técnica	Versión 1.00 - Jun 10, 2022

Verificación

Basándose en la guía de estilo y la ficha técnica de esta pieza, tres expertos independientes en ingeniería electrónica han creado:

3 versiones del símbolo y del footprint 2D
1 versión del modelo STEP 3D (formato STEP AP-214)
Configuración de la paleta de colores para un fabricante

Todos los archivos de biblioteca creados son independientes de la asignación de capas y se pueden mapear fácilmente en tu diseño.

A continuación, se comparan los símbolos y los footprints creados mediante las siguientes comprobaciones:

Símbolo

Verificaciones automáticas

Número de componente
Parámetros clave
Código del encapsulado
Nombres/número de pines
Tipos de pines

Comprobaciones manuales

Organización de pines según la guía de estilo

Footprint

Verificaciones automáticas

Estándar IPC
Margen para la serigrafía
Exceso de área de margen
Esquema del encapsulado
Marcado de polaridad
Verificación del tamaño y la posición de las almohadillas

Modelo 3D STEP

Comprobaciones manuales

Verificación de dimensiones
Cumplimiento de la paleta de colores
Cumplimiento del formato
Mapeo de la orientación al footprint 2D
Verificación de la posición al footprint 2D

Se lleva a cabo un proceso de verificación final:

Si los símbolos y los footprints coinciden: la pieza se verifica como lista para ECAD

Si los símbolos y los footprints no coinciden: un ingeniero electrónico sénior revisará todas las diferencias para asegurarse de que la pieza cumple con los requisitos de la guía de estilo y la ficha técnica

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Componentes alternativos

Este componente

Componentes alternativos

RenesasNP100P06PDG-E1-AY

RenesasNP100P06PLG-E1-AY

Price @ 1000

$ 2.766

$ 2.681

Stock

219,463

45,265

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-263

Drain to Source Voltage (Vdss)

-60 V

Continuous Drain Current (ID)

-100 A

Threshold Voltage

Rds On Max

6 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

-20 V

Power Dissipation

1.8 W

Input Capacitance

15 nF

Cadena de suministros

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.0095

Introduction Date2007-05-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 months ago)

Descripciones

Descripciones de Renesas NP100P06PDG-E1-AY suministradas por sus distribuidores.

Power MOSFET, P Channel, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet Silica

Trans MOSFET P-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

NP100P06PDG P-Channel 60 V 7.8 mOhm 200 W 300 nC Switching MosFet - TO-263

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0078ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

Imágenes

UTSource

Alias de fabricantes

Renesas tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Renesas también podría ser conocido por los siguientes nombres:

Renesas Electronics
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
RENESA
REN
RENES
RENESAS TECHNOLOGY CORP
RENESAS TECHNOLOGY
Renesas Electronics Corporation
RENESAS ELECTRONICS CORP
RENSAS
RENASAS
Renesas / Intersil
RNS
RENESAS-PB
RENESASTEC
RENESES
Renesas Technology America
Renesas Design Germany GmbH
Renesas / IDT
RENESASE
RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
Renesas Electronics Operations Services Limited
RENEASAS
RENESAS/M

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Especificaciones técnicas

Physical

Case/PackageTO-263

MSL1

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)-100 A

Drain to Source Resistance7.8 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V

Fall Time100 ns

Part FamilyNP100P06PDG

Gate to Source Voltage (Vgs)-20 V

Input Capacitance15 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation200 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation1.8 W

Rds On Max6 mΩ

Rise Time35 ns

Turn-Off Delay Time275 ns

Turn-On Delay Time28 ns

Dimensions

Height4.65 mm

Length10 mm

Width9 mm

Documentos

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Ficha técnica oficialHace 3 años

Cumplimiento

Clasificación ambiental

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declaraciones de cumplimiento

Reach Statement2 páginasHace 12 años

Conflict Mineral Statement2 páginasHace 12 años