onsemi TIP120
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.296
$ 0.296
Stock
692,793
369,699
369,699
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220
TO-220
TO-220
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
60 V
60 V
Max Collector Current
5 A
5 A
5 A
Transition Frequency
2 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
4 V
4 V
hFE Min
1000
1000
1000
Power Dissipation
65 W
65 W
65 W
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1993-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 9 hours ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi TIP120 suministradas por sus distribuidores.
Bulk Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 3A 3V 5A 65W 60V
TIP120 Series 60 V 5 A Through Hole NPN Epitaxial Darlington Transistor-TO-220-3
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Trans Darlington NPN 60V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
Bipolar Transistors - BJT NPN Plastic Lds
5 A 60 V NPN Si POWER TRANSISTOR TO-220AB
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-220AB-3
NPN EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:65W; DC Current Gain Min (hfe):1000; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:5A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-220AB-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 65W; DC Collector Current: 5A; DC Current Gain hFE: 1000hFE; Transis
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.214 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Continuous Collector Current5 A
Current Rating5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min1000
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation65 W
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height9.2 mm
Length9.9 mm
Width4.5 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento