onsemi TIP112G
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
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$ 0.515
$ 0.4
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Stock
262,462
239,743
239,743
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
2 A
2 A
2 A
Transition Frequency
25 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
hFE Min
500
500
500
Power Dissipation
-
50 W
50 W
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
NXP SemiconductorsBUJ403A,127
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descripciones
Descripciones de onsemi TIP112G suministradas por sus distribuidores.
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor NPN , 2.0 A, 100 V
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ON SEMI TIP112G NPN DARLINGTON TRANSISTOR, 2 A 100 V HFE:500, 3-PIN TO-220
Bipolar Transistor, Npn, 100V, To-220; T |Onsemi TIP112G.
2.5V@8mA, 2A NPN Darlington Transistor 2W 5V 2mA 100V 100V 2A TO-220 TH 10.53mm × 4.83mm × 15.75mm
TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, TO-220AB
Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, TO-220AB; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 50W; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 500hFE; Transistor
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current2 A
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min500
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency25 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.28 mm
Width4.82 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento