onsemi PN2222ATA
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Stock
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2,097,939
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiKSD1616LBU
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz
Descripciones
Descripciones de onsemi PN2222ATA suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
PN Series NPN 625 mW 40 V 1 A Through Hole General Purpose Transistor - TO-92-3
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold / TRANS NPN 40V 1A TO92
Transistor PN2222A General Purpose NPN 40 Volt 1 Amp TO-92
TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
NPN General Purpose Amplifier This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA.Sourced from Process 19.
TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:300; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; RF Transistor Case:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Continuous Collector Current Ic:1A; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Package / Case:TO-92; Termination Type:Through Hole; Transistor Case Style:TO-92; Transistor Type:General Purpose
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage25 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento