onsemi NVMFD5C680NLWFT1G
$ 0.835
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | NVMFD5C680NLWFT1G | 2200 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | NVMFD5C680NLWFT1G | 3000 | 1500 | |||||||||
| DigiKey | NVMFD5C680NLWFT1GOSCT-ND | 1053 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | NVMFD5C680NLWFT1G | 3000 | 7d | |||||||||
| Onlinecomponents.com | NVMFD5C680NLWFT1G | 0 | 375 | Bulk |
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Componentes alternativos
Este componente
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Price @ 1000
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Stock
254,489
627,322
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
-
Continuous Drain Current (ID)
7.5 A
7.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
3.2 W
-
Input Capacitance
-
-
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi NVMFD5C680NLWFT1G suministradas por sus distribuidores.
Dual N Channel Power Mosfet 60V, 26A, 28M/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVMFD5C680NLWFT1G
Dual N-Channel 60 V 20 A 28 mOhm Surface Mount Power MOSFET - SO-8FL
Dual N−Channel Power MOSFET 60V, 26A, 28mΩ
Trans MOSFET N-CH 60V 7.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
Power MOSFET Dual N-Channel 60 V 26 A 28m Ohm 8-Pin DFN T/R
MOSFET Array Dual N-CH 60V 26A 8-Pin DFN T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 60V, 0.041ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemi NMOS NVMFD5C680NL, Vds=60 V, 26 A, DFN, , 8
MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
RES SMD 4.7K OHM 1% 1/16W 0402
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 26A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance41 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation19 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation3.2 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time6.4 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento