onsemi NTMS10P02R2G
$ 0.621
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -12.57%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi NTMS10P02R2G.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi NTMS10P02R2G desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 SnapEDA | Footprint | Descargar | |
 Ultra Librarian | SímboloFootprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.621
$ 0.647
Stock
1,158,022
513,790
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
-
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
20 V
Continuous Drain Current (ID)
10 A
10 A
Threshold Voltage
-880 mV
-
Rds On Max
14 mΩ
14 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
3.64 nF
3.64 nF
Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi NTMS10P02R2G suministradas por sus distribuidores.
P-Channel 20 V 14 mOhm 2.5 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8
Single P−Channel Enhancement−Mode Power MOSFET -20V, -10A, 14mΩ
NTMS10P02R2G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.4 A, 20 V, 8-PIN SOIC
-10 AMPS, -20 VOLTS P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE SOIC-8 PACKAGE POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1.6W(Ta) 12V 1.2V@ 250µA 70nC@ 4.5 V 1individualPChannel 20V 14mΩ@ 10A,4.5V 8.8A 3.64nF@16V SOIC-8 SMD mount 1.75mm(height)
MOSFET, P-CH, -20V, -8.8A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.8A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-8
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -12.57%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
Number of Pins8
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating-10 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance3.64 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max14 mΩ
Resistance14 MΩ
Rise Time40 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-880 mV
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi NTMS10P02R2G.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento