onsemi NTMFS5H400NLT1G
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Power Field-Effect Transistor, 339A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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Single N-Channel Power MOSFET 40V, 370A, 0.67mΩ 1500 / Tape & Reel. Pb-Free, Wettable Flanks
Diodes Inc.DMN4020LFDE-7
Mosfet, N-Ch, 40V, 8A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN4020LFDE-7
Diodes Inc.DMP32D4SFB-7B
Mosfet, P-Ch, 30V, 0.4A, Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP32D4SFB-7B
Diodes Inc.DMN32D2LFB4-7
Mosfet, N-Ch, 30V, 0.3A, X2-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN32D2LFB4-7
Descripciones
Descripciones de onsemi NTMFS5H400NLT1G suministradas por sus distribuidores.
Single N Channel Power MOSFET 40V, 330A, 0.8mΩ Power MOSFET 40V 330A 0.8 mOhm Single N−Channel SO-8FL Logic Level
3.3W(Ta),160W(Tc) 20V 2V@ 250¦ÌA 120nC@ 10 V 1N 40V 800¦Ì¦¸@ 50A,10V 46A,330A 7.7nF@20V SO
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Power Field-Effect Transistor, 330A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.30%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)330 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max800 µΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento