Diodes Inc. DMN32D2LFB4-7
$ 0.192
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN32D2LFB4-7 | 254 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMN32D2LFB4-7 | 2700 | 497 | |||||||||
| Arrow Electronics | DMN32D2LFB4-7 | 2700 | 497 | |||||||||
| DigiKey | DMN32D2LFB4DICT-ND | 99.495 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN32D2LFB4-7 | 0 | 1 | 22h |
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Tendencia de 3 meses: -0.80%
Modelos CAD
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Fichas técnicas y documentos
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| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 SnapEDA | Footprint | Descargar |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-10-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMN31D5UFZ-7B
Mosfet, N-Ch, 30V, 0.22A, X2-Dfn0603 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN31D5UFZ-7B
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN32D2LFB4-7 suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 30V, 0.3A, X2-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN32D2LFB4-7
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Surface Mount
N-Channel 30 V 1.2 Ohm Enhancement Mode Mosfet - DFN-3
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 10±V VGS
Diodes Inc SCT
30V 300mA 350mW 1.2Ω@4V,100mA N Channel DFN-3(0.6x1) MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
350mW(Ta) 10V 1.2V@ 250¦ÌA 1N 30V 1.2¦¸@ 100mA,4V 300mA 39pF@3V 3000,DFN-1006-3 600¦Ìm*1mm*400¦Ìm
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.80%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)300 mA
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance39 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation350 mW
Rds On Max1.2 Ω
Resistance1.2 Ω
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height350 µm
Length1 mm
Width600 µm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento