onsemi NTMFS4983NFT1G
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-12-16
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-04-01
LTD Date2022-10-01
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Componentes relacionados
onsemiNTMFS4835NT3G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 13A Ta 130A Tc 20A 62.5W 13ns
Diodes Inc.ZXMC3AMCTA
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
Descripciones
Descripciones de onsemi NTMFS4983NFT1G suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 30 V 2.1 mOhm 1.7 W Surface Mount Power Mosfet - SO-8 FL
Nfet So8Fl 30V 160A 2.1Mo/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTMFS4983NFT1G
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 106A, 2.1mΩ
1.7W(Ta) 20V 2.3V@1mA 47.9nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 2.1mΩ@ 30A,10V 22A，106A 3.25nF@15V SMD mount 4.9mm*5.9mm*1.05mm
MOSFET, N-CH, 30V, 30A, SO-8FL; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Pow
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingTin
Number of Pins5
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max2.1 mΩ
Rise Time24.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28.7 ns
Turn-On Delay Time13.5 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento