Diodes Inc. ZXMC3AMCTA
$ 0.522
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMC3AMCTA | 2477 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | ZXMC3AMCTA | 59 | 59 | |||||||||
| Verical | ZXMC3AMCTA | 59 | 59 | |||||||||
| DigiKey | ZXMC3AMCTACT-ND | 6988 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXMC3AMCTA | 2918 | 1 | 18h |
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ZXMN3AMC Series 30 V 120 mOhm 2.9A Dual N-Ch Enhancement Mode Mosfet-DFN3020-B-8
Diodes Inc.DMP32D4SFB-7B
Mosfet, P-Ch, 30V, 0.4A, Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP32D4SFB-7B
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMC3AMCTA suministradas por sus distribuidores.
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
30V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 30V, 2.9A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMC3AMCTA
Dual N & P-Channel 30 V 120 mOhm 1.5 W Surface Mount Power Mosfet - DFN-8
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -5.37%
Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance190 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.45 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.45 W
Rds On Max120 mΩ
Resistance210 mΩ
Rise Time2.8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11.3 ns
Turn-On Delay Time1.5 ns
Dimensions
Height780 µm
Length3.08 mm
Width2.075 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento