onsemi NTMFS4927NT3G
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-02-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2022-04-01
LTD Date2022-10-01
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
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Single N-Channel Power Mosfet 30V, 38A, 9.1M/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTMFS4C13NT1G
Diodes Inc.DMG4800LFG-7
Trans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R / MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Diodes Inc.DMN32D2LFB4-7
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de onsemi NTMFS4927NT3G suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 38A, 7.3mΩ
MOSFET - Power, Single, N-Channel, SO-8 FL Power Field-Effect Transistor
Nfet So8Fl 30V 65.8A 9Moh/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTMFS4927NT3G
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
7900 mA 30 V N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 Ohm NCH
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Number of Pins5
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance913 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20.8 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation20.8 W
Rds On Max7.3 mΩ
Rise Time25.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento