onsemi NTMFS4854NST3G
$ 1.027
Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-05-04
LTD Date2020-11-04
Componentes relacionados
onsemiNTMFS4922NET1G
Power MOSFET 30V 147A 2.0 mOhm Single N-Channel Thermally Enhanced SO-8FL
Diodes Inc.DMP2018LFK-7
P-Channel 20 V 16 mOhm 113 nC Surface Mount Power Mosfet - UDFN2523-6
Diodes Inc.ZXMC3AMCTA
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
Descripciones
Descripciones de onsemi NTMFS4854NST3G suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, Single, N-Channel, 25 V, 149 A, SO-8FL
Trans MOSFET N-CH 25V 24.4A 8-Pin DFN EP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 15.2A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL
NTMFS4854NST3G, SINGLE MOSFETS;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingTin
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)15.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance2.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance4.83 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation86.2 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.31 W
Rds On Max2.5 mΩ
Rise Time54 ns
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento