onsemi NTMD3P03R2
$ 0.23
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NTMD3P03R2 | 183.173 | 1304 | |||||||||
| Rochester Electronics | NTMD3P03R2 | 185.434 | 21h | |||||||||
| Avnet | NTMD3P03R2 | 0 | 2500 | 1d | ||||||||
| Microchip USA | NTMD3P03R2 | 222 | 3500 | Tray | 3d | |||||||
| Component Stockers USA | NTMD3P03R2 | 152.884 | >1wk |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi NTMD3P03R2.
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.23
$ 0.518
Stock
1,007,685
1,002,961
Authorized Distributors
3
6
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
-
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
2.34 A
2.34 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
85 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
730 mW
2 W
Input Capacitance
-
750 pF
Descripciones
Descripciones de onsemi NTMD3P03R2 suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 30V 3.86A 8-Pin SOIC N
MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC / Mosfet Array
MOSFETs- Power and Small Signal 30V 3.05A P-Channel No-Cancel/No-Return
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.34A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-CHANNEL SEPARATE 2ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE 8 AVALANCHE RATED Mosfet Array 2.34A 0.73W 30V 0.085Ohm
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.34 A
Current Rating-3.05 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation730 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation730 mW
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.75 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Declaraciones de cumplimiento