onsemi NTLJS3113PTAG
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Obsolete
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Cadena de suministros
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMP2066UFDE-7
Mosfet, P-Ch, 20V, 6.2A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2066UFDE-7
Diodes Inc.DMN2016LHAB-7
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NexperiaPMZB300XN,315
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de onsemi NTLJS3113PTAG suministradas por sus distribuidores.
Single P-Channel Power MOSFET -20V -7.7A 40 mΩ
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN T/R
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P Channel Mosfet, -20V, 5.8A, Wdfn6; Continuous Drain Current Id:-7.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; Filter Terminals:Surface Mount; No. Of Pins:6; On Resistance Rds(On):32Mohm; Operating Temperature Max:150°C Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTLJS3113PTAG
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time17.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.329 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.9 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max40 mΩ
Resistance40 MΩ
Rise Time17.5 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time6.9 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento