Diodes Inc. DMN2016LFG-7
$ 0.231
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN2016LFG-7 | 15.000 | 3K | 22h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN2016LFG-7 | 15.000 | 491 | |||||||||
| Verical | DMN2016LFG-7 | 15.000 | 491 | |||||||||
| DigiKey | DMN2016LFG-7DICT-ND | 74.970 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2016LFG-7 | 0 | 3K | 9h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +88.18%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Diodes Inc. DMN2016LFG-7.
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Mosfet, P-Ch, 20V, 6.2A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2066UFDE-7
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN2016LFG-7 suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 5.2A 8-Pin uDFN3030 T/R
Dual N-Channel 20 V 18 mOhm Enhancement Mode Mosfet -UDFN-8
Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Mosfet Bvdss: 8V~24V U-Dfn3030-8 T&r 3K
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.2 A
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time46.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.472 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation770 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max18 mΩ
Resistance18 mΩ
Rise Time13.2 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time84.5 ns
Turn-On Delay Time2.6 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento