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onsemi NTJD4105CT2G

MOSFETs- Power and Small Signal 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
$ 0.121
Production
Ficha técnica
Página del fabricante

Precio y existencias

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Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Avnet
2
NTJD4105CT2G
1800
25K
1d
Newark
3
NTJD4105CT2G
4723
1
Cut Tape
USD
0,433
0,433
0,181
0,127
0,122
Arrow Electronics
NTJD4105CT2G
15.000
3K
USD
0,085
Verical
NTJD4105CT2G
15.000
3K
USD
0,084
Flip Electronics
NTJD4105CT2G
1800
2d

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi NTJD4105CT2G.

Upverter

Datasheet8 páginasHace 20 años

IHS

Electro Sonic

Newark

iiiC

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+311%
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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
onsemiNTJD4105CT2G
onsemiNTJD4105CT1G
Price @ 1000
$ 0.121
$ 0.117
Stock
11,311,878
2,898,800
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363-6
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
20 V
Continuous Drain Current (ID)
630 mA
630 mA
Threshold Voltage
-
920 mV
Rds On Max
375 mΩ
375 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
270 mW
-
Input Capacitance
46 pF
46 pF

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Descripciones

Descripciones de onsemi NTJD4105CT2G suministradas por sus distribuidores.

MOSFETs- Power and Small Signal 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
Mouser
N-Channel 20/8 V 290/220 mOhm 270 mW Surface Mount Small Signal MOSFET SOT-363
Future Electronics
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.63A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
550mW ±12 @ N Channel，±8 @ P Channel 1.5V@ 250µA 3nC@ 4.5V 2N+2PChannel 20V，8V 375mΩ@ 630mA,4.5V 630mA，775mA 46pF@20V SOT-363 SMD mount 2mm*1.25mm*900μm
UnikeyIC
MOSFET, N & P-CH, 20V, 0.63A, SOT-363; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 630mA; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.29ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1.5V; Power Dissipation Pd: 270mW; Transistor Case Style: SOT-363; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell

Imágenes

Newark
Farnell
Farnell
Future Electronics
TME
iiiC

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd