onsemi NTHD5903T1G
$ 0.336
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NTHD5903T1G | 2039 | 971 | |||||||||
| Rochester Electronics | NTHD5903T1G | 2475 | 16h | |||||||||
| Avnet | NTHD5903T1G | 0 | 3K | 19h | ||||||||
| Win Source | WS-NTHD5903T1G | 28.300 | 110 | 17h | ||||||||
| Worldway Electronics | NTHD5903T1G | 9224 | 7 | Tape & Reel | 16h |
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Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi NTHD5903T1G.
Componentes alternativos
Este componente
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Price @ 1000
$ 0.336
$ 0.219
Stock
117,615
192,625
Authorized Distributors
3
1
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SMD/SMT
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
-
Continuous Drain Current (ID)
2.2 A
2.2 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
155 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
1.1 W
1.1 W
Input Capacitance
-
-
Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
VishaySI5933CDC-T1-GE3
SI5933CDC-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 20 V, 8-PIN 1206 CHIPFET
VishaySI5855CDC-T1-E3
SI5855CDC-T1-E3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 20 V, 8-PIN 1206 CHIPFET
Descripciones
Descripciones de onsemi NTHD5903T1G suministradas por sus distribuidores.
Tape & Reel (TR) Surface Mount 2P-Channel (Dual) 8 Mosfet Array 2.2A 3A 1.1W 35ns
Power MOSFET -20 V, -3.0 A, Dual P-Channel ChipFET™
1.1W 12V 600mV@ 250¦ÌA 7.4nC@ 4.5V 2P 20V 155m¦¸@ 2.2A,4.5V 3A CHIPFET-8 3.05mm*1.65mm*1.05mm
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 1206A; Tran
2200 mA 20 V 2 CHANNEL P-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-Pin Chip FET T/R
MOSFETs- Power and Small Signal -20V -3A Dual P-Channel
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Current Rating-2.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance155 mΩ
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation1.1 W
Rds On Max155 mΩ
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento