onsemi NTHD4502NT1G
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Stock
696,192
1,181,687
Authorized Distributors
4
2
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SMD/SMT
SMD/SMT
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
2.2 A
2.2 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
85 mΩ
85 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.13 W
1.13 W
Input Capacitance
140 pF
140 pF
Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2023-06-15
LTD Date2023-12-15
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi NTHD4502NT1G suministradas por sus distribuidores.
Dual N-Channel 30 V 80 mOhm 1.13 W Surface Mount Power MOSFET - CASE 1206A
NTHD4502NT1G DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3.9 A, 30 V, 8-PIN CHIPFET
Dual N-Channel ChipFET™ Power MOSFET 30V, 3.9A, 85mΩ
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 2.9A 8-Pin ChipFET T/R
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Current Rating2.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time5.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance140 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.13 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.13 W
Rds On Max85 mΩ
Resistance80 MΩ
Rise Time5.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14.9 ns
Turn-On Delay Time7.8 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento