onsemi NTDV3055L104T4G
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
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$ 0.575
Stock
305,381
9,037,054
Authorized Distributors
2
6
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
12 A
12 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
104 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
15 V
15 V
Power Dissipation
48 W
48 W
Input Capacitance
440 pF
-
Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-09-16
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2020-01-24
LTD Date2020-07-24
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTD12NF06LT4
Automotive-grade N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
Descripciones
Descripciones de onsemi NTDV3055L104T4G suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V, 12A, 104mΩ Power MOSFET, N-Channel, 60 V, 12 A, Logic Level
NTDV3055L104 Series 60 V 12 A 104 mOhm SMT N-Channel Power MOSFET - DPAK-3
60 VOLTS, 12 AMPS, LOGIC LEVEL N-CHANNEL DPAK POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance104 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance440 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation48 W
Rds On Max104 mΩ
Rise Time210 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento