onsemi NTD4963NT4G
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Cadena de suministros
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2016-01-24
LTD Date2016-07-24
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTD17NF03LT4
N-channel 30 V, 0.038 Ohm, 17 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Descripciones
Descripciones de onsemi NTD4963NT4G suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET 30V 44A 9.6 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET NFET DPAK 30V 44A 9.6MOHM
MOSFET N-Channel 44A 30V 9.6mΩ@30A,10V 1.035nF@12V 2.5V@250µA 16.2nC@10V 1.1W(Ta) 35.7W(Tc) TO-252 SMD 2.38mm H
N CHANNEL MOSFET, 30V,8.1A, TO-252
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
30 V, 44 A, SINGLE N-CHANNEL, POWER MOSFET
IC FLASH 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0082ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.035 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation35.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation35.7 W
Rds On Max9.6 mΩ
Resistance9.6 MΩ
Rise Time20 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento