onsemi NTD4910NT4G
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Obsolete
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Pkg
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Tendencia de 3 meses: -7.43%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi NTD4910NT4G.
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Cadena de suministros
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2015-10-17
LTD Date2016-04-17
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi NTD4910NT4G suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET 30V 37A 9 mOhm Single N-Channel DPAK
NTD4910NT4G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 37 A, 30 V, 3-PIN DPAK
Trans MOSFET N-CH 30V 11.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 8.2A Ta 37A Tc 37A 1.37W Ta 27.3W Tc 16.5ns
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1.37W(Ta)，27.3W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 15.4nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 9mΩ@ 30A,10V 11.2A 1.203nF@15V TO-252 SMD mount 2.38mm(height)
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -7.43%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.2 A
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.203 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation27.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max9 mΩ
Turn-Off Delay Time16.5 ns
Turn-On Delay Time11.6 ns
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento