onsemi NTD4809NHT4G
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Stock
932,462
1,155,933
Authorized Distributors
2
3
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
9 A
9 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
2.155 nF
1.456 nF
Cadena de suministros
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-09-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10.4A Ta 65A Tc 12.6A 2W 2.3ns
Descripciones
Descripciones de onsemi NTD4809NHT4G suministradas por sus distribuidores.
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 11.5A 2W 3ns
Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
RES SMD 51.1K OHM 1% 1/4W 1206
1.3W(Ta)，52W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 15nC@ 4.5 V 1individualNChannel 30V 9mΩ@ 30A,10V 11.5A 2.155nF@12V TO-252-3 SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.38mm
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.155 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance9 MΩ
Rise Time18 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento