onsemi NTD4804N-35G
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Componentes alternativos
Este componente
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Stock
269,943
20,571,279
Authorized Distributors
4
6
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
14.5 A
14.5 A
Threshold Voltage
2.5 V
2.5 V
Rds On Max
4 mΩ
4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
4.49 nF
4.49 nF
Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-04-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
VishaySUD19P06-60L-E3
2.7W(Ta),46W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 40nC@ 10 V 1P 60V 60m¦¸@ 10A,10V 19A 1.71nF@25V TO-252AA 2.39mm
STMicroelectronicsSTD35NF3LLT4
N-Channel 30V - 0.014Ohm - 35A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Descripciones
Descripciones de onsemi NTD4804N-35G suministradas por sus distribuidores.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 14.5A Ta 124A Tc 117A 2.5W 5ns
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 117 A, 0.004 ohm, TO-251, Through Hole
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 117A, 4mΩ
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 117A 4MOHM
Trans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
14.5 A 30 V 0.0055 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
MOSFET, N, 30V, 3 I-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 117A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.004ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Power Diss
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.49 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation93.75 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4 mΩ
Rise Time19 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time35 ns
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento