onsemi NTA4151PT1G
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | NTA4151PT1G | 237.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | NTA4151PT1G | 198.000 | 3K | 17h | ||||||||
| Newark | NTA4151PT1G | 1036 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Master Electronics | NTA4151PT1G | 99.000 | 3K | |||||||||
| Onlinecomponents.com | NTA4151PT1G | 99.000 | 3K | Bulk |
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Este componente
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Stock
6,883,421
305,884
Authorized Distributors
6
1
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SC
SC
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
760 mA
760 mA
Threshold Voltage
-450 mV
-
Rds On Max
360 mΩ
360 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
6 V
6 V
Power Dissipation
301 mW
301 mW
Input Capacitance
156 pF
156 pF
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
NXP SemiconductorsPMR290XN,115
MOSFET, N CH, 20V, 0.29OHM, 970mA, SOT-416-3; Transistor Polarity:N Channel; Con
Descripciones
Descripciones de onsemi NTA4151PT1G suministradas por sus distribuidores.
Single P-Channel Gate Zener Small Signal MOSFET -20V, -760mA, 360mΩ
Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SOT-416 T/R / MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416
Single P-Channel 20 V 1 Ohm 2.1 nC 313 mW Silicon SMT Mosfet - SC-75-3
MOSFET, P-CH, VDSS -20V, RDS(ON) 0.26OHM, ID -760MA, SC-75/SOT-416, PD 301MW
P Channel Mosfet, -20V, 760Ma Sc-75, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:760Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Power Dissipation:301Mw Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTA4151PT1G.
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = -760 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 490 / Gate-Source Voltage V = 6 / Fall Time ns = 20.4 / Rise Time ns = 8.2 / Turn-OFF Delay Time ns = 29 / Turn-ON Delay Time ns = 8 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SC-75 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 301
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSC
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)760 mA
Current Rating-760 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)6 V
Input Capacitance156 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation301 mW
Rds On Max360 mΩ
Resistance260 mΩ
Rise Time8.2 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-450 mV
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height800 µm
Length1.65 mm
Width900 µm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento