onsemi NJVMJD31CG
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Componentes alternativos
Este componente
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Stock
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3,099,801
3,099,801
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252
TO-252
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
3 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.2 V
1.2 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
1.56 W
15 W
15 W
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi NJVMJD31CG suministradas por sus distribuidores.
TRANS NPN 100V 3A DPAK / Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount DPAK
3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
Transistor, Bipolar, Npn, 100V, 3A/To252; |Onsemi NJVMJD31CG
40V 15W 3A 10@3A4V 3MHz 1.2V@3A375mA NPN -65¡Í~+150¡Í@(Tj) DPAK Bipolar Transistors - BJT ROHS
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
1.2V@ 375mA,3A NPN 1.56W 5V 50μA 100V 100V 3A TO-252 SMD mount 2.38mm(height)
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Collector Current3 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.56 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.56 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Dimensions
Height2.51 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento