onsemi NJT4031NT3G
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Stock
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852,128
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
SOT-223-4
SOT-223-4
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
Max Collector Current
3 A
3 A
Transition Frequency
215 MHz
215 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
300 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
-
2 W
Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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NSS40301 Series 40 V 3 A Surface Mount NPN Bipolar Power Transistor - SOT-223
Descripciones
Descripciones de onsemi NJT4031NT3G suministradas por sus distribuidores.
NJT4031N Series 40 V 3 A Surface Mount NPN Bipolar Power Transistor - SOT-223
3.0 A, 40 V NPN Bipolar Power Transistor
300mV@ 300mA,3A NPN 2W 6V 100nA 40V 40V 3A SOT-223 SMD mount 6.5mm*3.5mm*1.57mm
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
40V 2W 3A 200@1A1V 215MHz 300mV@3A300mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product215 MHz
hFE Min100
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency215 MHz
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento