onsemi NIF9N05CLT3G
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Obsolete
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Componentes alternativos
Este componente
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Price @ 1000
$ 0.493
$ 0.428
Stock
85,910
100,467
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
SOT-223-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
52 V
Continuous Drain Current (ID)
2.6 A
2.6 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
125 mΩ
125 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
15 V
15 V
Power Dissipation
1.69 W
1.69 W
Input Capacitance
250 pF
250 pF
Componentes relacionados
InfineonIRLL014NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.14Ohm;ID 2.8A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-16V
InfineonIRLL014NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.14Ohm;ID 2.8A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-16V
InfineonBSP320SH6327XTSA1
Single N-Channel 60 V 120 mOhm 9.7 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-223
onsemiHUFA75307T3ST
Transistor,Mosfet,N-Channel,55V V(Br)Dss,2.6A I(D),Sot-223 Rohs Compliant: Yes
Descripciones
Descripciones de onsemi NIF9N05CLT3G suministradas por sus distribuidores.
Protected Power MOSFET, N-Channel, Clamped, Logic Level, 2.6 A, 52 V, with ESD Protection
2.6 A 52 V 0.125 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-261AA
MOSFETs- Protected 52V 2.6A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 52V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Current Rating2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Fall Time290 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance250 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.69 W
Min Breakdown Voltage52 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.69 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time290 ns
Turn-Off Delay Time1.54 µs
Turn-On Delay Time107 ns
Voltage Rating (DC)52 V
Dimensions
Height1.75 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento