onsemi NGTG15N60S1EG
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-07-29
LTD Date2022-01-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Componentes relacionados
onsemiNGTB15N60EG
NGTB15N60EG 600 V 30 A 78/130 ns Short Circuit Rated IGBT Flange Mount-TO-220
InfineonIKP15N60TXKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STMicroelectronicsSTGP15H60DF
IGBT 600V 30A 115W TO220 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
InfineonIGP15N60TXKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, PG-TO220-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de onsemi NGTG15N60S1EG suministradas por sus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
NGTG15N60S 600 V 15 A Flange Mount Short Circuit Rated IGBT - TO-220
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
ON SEMICONDUCTOR - NGTG15N60S1EG - Transistor IGBT Singolo, 30 A, 1.75 V, 117 W, 600 V, TO-220, 3 Pin
IGBT, 600V, 15A, TO-220-3; DC Collector Current: 30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.75V; Power Dissipation Pd: 117W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.299997 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation117 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Turn-Off Delay Time170 ns
Turn-On Delay Time65 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.28 mm
Width4.82 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento