onsemi NDS9430
$ 0.703
Obsolete
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-12-13
LTD Date2012-06-13
Componentes relacionados
InfineonIRF7406PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID -5.8A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Diodes Inc.ZXMC3A17DN8TA
Dual N & P Channel 30 V 5.4 A 1.25 W Surface Mount Complementary Mosfet - SOIC-8
Descripciones
Descripciones de onsemi NDS9430 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
30V/20V,60/100MO,PCH,SINGLE,SO8,500A GOX,PTII
NDS9430,FAIRCHILD SEMI,NDS9430 <NV
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V – 20V).
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight230.4 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.3 A
Current Rating-5.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance528 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max60 mΩ
Rise Time13 ns
Turn-Off Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento