onsemi MURD320T4G

Name: onsemi MURD320T4G
Brand: onsemi
SKU: MURD320T4G

Diode, Rectifier, Ultrafast, Vr 200V, If 3A, Pkg D-PAK, Vf 0.95V, Trr 35ns, Tj +175degc

$ 0.327

Production

Página del fabricante Ficha técnica

Precio y existencias

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		MURD320T4G	12.500	2500						0,300	1d
Newark	3	MURD320T4G	1648	1	Cut Tape	0,556	0,556	0,556	0,556	0,556
Arrow Electronics	2	MURD320T4G	1644	1		0,315	0,310	0,302	0,288	0,288
Verical	5	MURD320T4G	1644	21				0,302	0,288	0,288
Master Electronics		MURD320T4G	2500	100				0,527	0,327	0,292

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Componentes alternativos

Este componente

Componentes alternativos

onsemiMURD320T4G

STMicroelectronicsSTTH4R02B-TR

Price @ 1000

$ 0.327

$ 0.275

Stock

1,380,761

938,620

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Forward Voltage

950 mV

830 mV

Reverse Voltage (DC)

Average Rectified Current

3 A

4 A

Max Reverse Leakage Current

Reverse Recovery Time

35 ns

30 ns

Cadena de suministros

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3.5A, 40V V(RRM), Silicon, TO-252AA

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, TO-252AA

Detalles

Descripciones

Descripciones de onsemi MURD320T4G suministradas por sus distribuidores.

Diode, Rectifier, Ultrafast, Vr 200V, If 3A, Pkg D-PAK, Vf 0.95V, Trr 35ns, Tj +175degc

SHENGYU ELECTRONICS

Power Rectifier, Ultra-Fast Recovery, Switch-mode, 3 A, 200 V

onsemi

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon

ComSIT Distribution GmbH

Rectifier Diode Switching 200V 3A 35ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

Rectifier Diodes & Bridges; MURD320T4G; ON SEMICONDUCTOR; 5 µA; 3 A; 3; 75 A

Maritex

FAST RECOVERY DIODE, 3A, 200V, DPAK; Repetitive Peak Reverse Voltage:200V; Average Forward Current:3A; Diode Configuration:Common Anode; Forward Voltage Max:950mV; Reverse Recovery Time:35ns; Forward Surge Current:75A RoHS Compliant: Yes

Newark

Imágenes

RS (Formerly Allied Electronics)

TME

iiiC

Future Electronics

Rochester Electronics

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

MURD320T4G.
MURD320T4G..

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Especificaciones técnicas

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Average Rectified Current3 A

Breakdown Voltage200 V

Current Rating3 A

Element ConfigurationCommon Anode

Forward Current3 A

Forward Voltage950 mV

Max Forward Surge Current (Ifsm)75 A

Max Operating Temperature175 °C

Max Output Current3 A

Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)200 V

Max Reverse Voltage (DC)200 V

Max Surge Current75 A

Min Operating Temperature-65 °C

Natural Thermal Resistance80 °C/W

Number of Elements1

Output Current3 A

PackagingTape and Reel

Peak Non-Repetitive Surge Current75 A

Peak Reverse Current5 µA

PolarityStandard

Recovery Time35 ns

Reverse Recovery Time35 ns

Reverse Standoff Voltage200 V

Reverse Voltage200 V

Schedule B8541100080

Voltage Rating (DC)200 V

Dimensions

Height2.38 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm

Fichas técnicas y documentos

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IHS

Datasheet5 páginasHace 5 años

Upverter

element14 APAC

Newark

JRH Electronics

Cumplimiento

Clasificación ambiental

China RoHSNon-Compliant

Halogen FreeHalogen Free

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declaraciones de cumplimiento

Rohs Statement1 páginasHace 13 años

Materials SheetN/AN/A

Rohs Statement3 páginasHace 5 años

Reach Statement8 páginasHace 11 años

Rohs StatementN/AN/A