onsemi MUN5114DW1T1G
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Componentes alternativos
Este componente
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Stock
1,291,841
660,562
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SOT-363-6
-
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-
hFE Min
80
80
Power Dissipation
250 mW
250 mW
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi MUN5114DW1T1G suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
MUN5114DW Series 50 V 100 mA Dual PNP Bias Resistor Transistor - SOT-363
250mV@ 300¦ÌA,10mA 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 385mW 500nA 50V 100mA SC-88-6 2mm*1.25mm*900¦Ìm
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
TRANS, DUAL PNP, -50V, -0.1A, SOT-363; Digital Transistor Polarity: Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50V; Continuous Collector Current Ic: -100mA; Base Input Resistor R1: 10kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm
The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5111DW1T1 series two BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low-power surface mount applications where board space is at a premium.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min80
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)-50 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento