onsemi MPSA06
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
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$ 0.077
$ 0.06
Stock
972,629
84,983
Authorized Distributors
6
3
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
Transition Frequency
50 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
-
hFE Min
50
100
Power Dissipation
1.5 W
625 mW
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1977-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiKSD1616ALBU
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz
Descripciones
Descripciones de onsemi MPSA06 suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSAXX Series 80 V CE Breakdown 0.5 A NPN General Purpose Amplifier - TO-92
Transistor MPSA06 General Purpose NPN 80 Volt 0.5 Amp TO-92
250mV@ 10mA,100mA NPN 625mW 4V 100nA 80V 80V 500mA TO-92-3 5.2mm*4.19mm*5.33mm
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 33.
TRANSISTOR, NPN, 80V, 0.5A, TO-92; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 625mW; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Tran
Transistor, Npn, 80V, 0.5A, To-226Aa; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:80V; Continuous Collector Current:500Ma; Power Dissipation:625Mw; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MPSA06.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight201 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min50
Max Collector Current500 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541210080
TerminationThrough Hole
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.21 mm
Width4.19 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento