onsemi MMPQ2222
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Componentes alternativos
Este componente
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Stock
786,831
786,831
Authorized Distributors
4
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
1.6 V
hFE Min
30
30
Power Dissipation
2.4 W
2.4 W
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date1998-08-28
Componentes relacionados
onsemiMC1413BDR2G
Bipolar Transistors (BJT); MC1413BDR2G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 16; 50 V; 500 mA
Descripciones
Descripciones de onsemi MMPQ2222 suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon
NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V, SOIC
TRANS 4NPN 30V 0.5A 16SOIC / Quad General Purpose Transistors
TRANSISTOR; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 1W; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transistor Case Style: SOIC; No
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins16
Number of Terminals16
Weight143 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating500 mA
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)155 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements4
PolarityNPN
Power Dissipation2.4 W
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento