onsemi MMBT5550LT1G
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| Avnet | MMBT5550LT1G | 2.197.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | MMBT5550LT1G | 1876 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | MMBT5550LT1G | 246.000 | 3K | |||||||||
| Verical | MMBT5550LT1G | 33.000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | MMBT5550LT1G | 3000 | 3K | Tape & Reel |
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Stock
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210,189
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
140 V
140 V
Max Collector Current
600 mA
60 mA
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
hFE Min
20
20
Power Dissipation
-
225 mW
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi MMBT5550LT1G suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
ON SEMI MMBT5550LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6 A, 140 V, 3-PIN SOT-23
Bipolar Transistors (BJT); MMBT5550LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 140 V; 600 mA
140V 225mW 60@10mA,5V 600mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
MMBT Series 140 V 60 mA SMT NPN Silicon Transistor - SOT-23
250mV@ 5mA,50mA NPN 300mW 6V 100nA 160V 140V 600mA SOT-23-3,TO-236 2.9mm*1.3mm*1mm
High Voltage NPN Bipolar Transistor
General Purpose Transistors NPN Ic=600mA Vceo=140V hfe=60 P=225mW SOT23
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
BJT, NPN, 140V, SOT-23, FULL REEL
Bjt, Npn, 140V, Sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:140V; Continuous Collector Current:600Ma; Power Dissipation:225Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:-Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT5550LT1G.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage140 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)140 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min20
Max Breakdown Voltage140 V
Max Collector Current600 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
TypeGeneral Purpose
Voltage Rating (DC)140 V
Dimensions
Height1.01 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento