onsemi MMBT3906LT1G

Transistor: PNP; bipolar; -40V; -0.2A; 300mW; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
$ 0.033
Production

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onsemi

Datasheet7 páginasHace 16 años
Datasheet7 páginasHace 18 años
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IHS

Upverter

RS (Formerly Allied Electronics)

Newark

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-52.68%

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.033
$ 0.031
$ 0.031
Stock
33,571,012
3,626,466
3,626,466
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-40 V
-40 V
-40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
400 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
225 mW
225 mW
225 mW

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Descripciones

Descripciones de onsemi MMBT3906LT1G suministradas por sus distribuidores.

Transistor: PNP; bipolar; -40V; -0.2A; 300mW; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
40V 300mW 100@10mA,1V 200mA PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
200 mA, 40 V PNP Bipolar Junction Transistor
PNP SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, SILICON; PNP; -40VDC VCE; -40VDC VCB; -5VDC VEB; -200MADC ICC
Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage Max:40V; Continuous Collector Current:200mA; Power Dissipation:225mW; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:3Pins; Transition Frequency:250MHz; DC Current Gain hFE Min:30hFERoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:300; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Current Ic Continuous a Max:50mA; Current Ic hFE:300mA; Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Hfe Min:30; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:225mW; Power Dissipation Ptot Max:300mW; Termination Type:SMD

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • MMBT3906LT1 G
  • MMBT3906LT1G.
  • MMBT3906LT1G....
  • MMBT3906LT1G.....