onsemi MMBT2907.
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.033
Stock
5,696,011
4,203,879
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
-60 V
Max Collector Current
600 mA
800 mA
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
-1.6 V
hFE Min
30
30
Power Dissipation
350 mW
350 mW
Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1989-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Componentes relacionados
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Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -40 V, 300 mW, -600 mA, 100 RoHS Compliant: Yes
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Single Bipolar Transistor, PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Diodes Inc.BC857A-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descripciones
Descripciones de onsemi MMBT2907. suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
This device is designed for use with general-purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from process 63.
TRANSISTOR, PNP, SMD, SOT-323; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:300; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage Vces:400mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Current Ic hFE:300mA; Hfe Min:30; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; Termination Type:SMD
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating-800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current600 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation350 mW
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento