onsemi MMBT2222LT1G
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120,348,103
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
40 V
40 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
250 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
300 mV
300 mV
hFE Min
75
75
75
Power Dissipation
225 mW
225 mW
225 mW
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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onsemiBC848CLT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 30 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE
Descripciones
Descripciones de onsemi MMBT2222LT1G suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
ON SEMI MMBT2222LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6 A, 30 V, 3-PIN SOT-23
30V 300mW 100@150mA,10V 600mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
MMBT Series 30 V 600 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-23
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, BJT, NPN, 30V, 0.6A, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 250MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 600mA; DC Current Gain hFE: 250hFE
Bipolar Transistor, Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:30V; Continuous Collector Current:600Ma; Power Dissipation:300Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:250Mhzrohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT2222LT1G.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min75
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency250 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width2.64 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento