onsemi MJE200STU
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Componentes alternativos
Este componente
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Stock
837,604
682,808
Authorized Distributors
3
6
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-126
TO-225
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
25 V
25 V
Max Collector Current
5 A
5 A
Transition Frequency
65 MHz
65 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
1.8 V
hFE Min
10
10
Power Dissipation
15 W
15 W
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2019-10-12
LTD Date2020-04-12
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi MJE200STU suministradas por sus distribuidores.
Transistor General Purpose BJT NPN 25 Volt 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126
5.0 A, 25 V NPN Bipolar Power Transistor
MJE200 Series 25 V 5 A 15 W SMT NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)8 V
Frequency65 MHz
Gain Bandwidth Product65 MHz
hFE Min10
Max Collector Current5 A
Max Frequency65 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation15 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency65 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height14.2 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento