onsemi MJD47T4G
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Componentes alternativos
Este componente
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Stock
510,191
160,779
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
250 V
250 V
Max Collector Current
1 A
1 A
Transition Frequency
10 MHz
10 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
hFE Min
10
10
Power Dissipation
1.56 W
1.56 W
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi MJD47T4G suministradas por sus distribuidores.
1.0 A, 250 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Bipolar Transistors (BJT); MJD47T4G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 250 V; 1 A
MJD Series 250 V 1 A NPN Surface Mount Power Transistor - TO-252-3
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TRANS, BIPOL, NPN, 250V, TO252; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250V; Transition Frequency ft: 10MHz; Power Dissipation Pd: 1.56W; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 30hFE; Transistor
Bipolar Transistor, Npn, 250V, Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:250V; Continuous Collector Current:1A; Power Dissipation:1.56W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:4Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD47T4G.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)350 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency10 MHz
Gain Bandwidth Product10 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage250 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency2 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.56 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento