onsemi MJD44H11TM
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Flip Electronics | MJD44H11TM | 10.000 | 6d | |||||||||
| element14 APAC | MJD44H11TM | 0 | 1 | Cut Tape | 22h | |||||||
| Farnell | MJD44H11TM | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Win Source | WS-MJD44H11TM | 10.200 | 185 | 9h | ||||||||
| Worldway Electronics | MJD44H11TM | 29.041 | 7 | Tape & Reel | 8h |
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Componentes alternativos
Este componente
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Price @ 1000
$ 0.293
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Stock
162,915
8,443,916
8,443,916
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
50 MHz
85 MHz
85 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
1.75 W
1.75 W
1.75 W
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi MJD44H11TM suministradas por sus distribuidores.
8 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
MJD Series NPN 1.75 W 80 V 8 A SMT Epitaxial Silicon Transistor - TO-252-3
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1.75W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:60; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:1V; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Gain Hfe Max:400; Current Ic Continuous a Max:8A; Current Ic hFE:3A; Current Ic hfe -Do Not Use See ID 1182:3000mA; DC Current Gain Hfe Max:400; DC Current Gain Hfe Min:200; Gain Bandwidth ft Typ:50MHz; Hfe Min:200; Package / Case:D-PAK; Power Dissipation Pd:1.75W; Power Dissipation Ptot Max:20W; Termination Type:SMD
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current8 A
Max Frequency50 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento