onsemi MJD2955T4G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | MJD2955T4G | 2500 | 1164 | |||||||||
| Future Electronics | MJD2955T4G | 45.000 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Master Electronics | MJD2955T4G | 2500 | 100 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | MJD2955T4G | 2500 | 100 | Bulk | ||||||||
| Rochester Electronics | MJD2955T4G | 179.053 | 1d |
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129,426
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
-
-
Max Collector Current
10 A
10 A
10 A
Transition Frequency
2 MHz
2 MHz
2 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.1 V
1.1 V
1.1 V
hFE Min
5
5
5
Power Dissipation
20 W
1.75 W
1.75 W
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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onsemiNJVMJD2955T4G
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Descripciones
Descripciones de onsemi MJD2955T4G suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
MJD Series 60 V 10 A PNP Complementary Power Transistor - TO-252-3
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
ON SEMICONDUCTOR - MJD2955T4G - BIPOLAR TRANSISTOR, DUAL N/P CHANNEL 60V
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V, TO-252-4; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:1.75W; DC Collector Current:-10A; DC Current Gain hFE:5hFE; Tra
Bipolar Transistor, Dual N/P Channel 60V, Full Reel; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:60V; Continuous Collector Current:10A; Power Dissipation:1.75W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD2955T4G.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)70 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency2 MHz
Gain Bandwidth Product2 MHz
hFE Min5
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current10 A
Max Frequency500 kHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation20 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento