onsemi MJD243G
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Componentes alternativos
Este componente
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Stock
86,380
643,130
643,130
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
40 MHz
40 MHz
40 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
15
15
15
Power Dissipation
1.4 W
1.4 W
1.4 W
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiNSV1C301ET4G
3 A, 100 V Low Vce(Sat) Npn Transistor/ Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NSV1C301ET4G
Diodes Inc.ZXT1053AKTC
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 75 V, 5 A, 4 W, TO-252, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de onsemi MJD243G suministradas por sus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
4.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
MJD Series 100 V 4 A NPN Complementary Silicon Plastic Power Transistor TO-252-3
TRANSISTOR; NPN; 100 VDC; 100 VDC; 7 VDC; 4 ADC; 1 ADC; 1.4 W; 89.3 DEGC/W; 15
Trans GP BJT NPN 100V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
600mV@ 100mA,1A NPN 1.4W 7V 100nA 100V 100V 4A TO-252 6.73mm*6.22mm*2.38mm
Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:100V; Continuous Collector Current:4A; Power Dissipation:1.4W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:40Mhz; Dc Current Gain Hfe Min:40Hfe Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD243G.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency40 MHz
Gain Bandwidth Product40 MHz
hFE Min15
Max Collector Current4 A
Max Frequency40 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation13 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.4 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency40 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento