onsemi MJD127G

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
$ 0.487
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
3
MJD127G14575
17h
Future ElectronicsMJD127G136040Tube
Newark
2
MJD127G56331
Verical
4
MJD127G142575
Arrow Electronics
3
MJD127G14681

Fichas técnicas y documentos

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Upverter

Datasheet7 páginasHace 17 años
Datasheet8 páginasHace 14 años

IHS

onsemi

Newark

Electro Sonic

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
onsemiMJD127G
onsemiMJD127T4G
onsemiMJD127T4G
Price @ 1000
$ 0.487
$ 0.318
$ 0.318
Stock
523,207
4,262,426
4,262,426
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
100 V
100 V
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
4 MHz
4 MHz
4 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
2 V
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
-
20 W
20 W

Cadena de suministros

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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onsemiMJD127TF
8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Detalles

Descripciones

Descripciones de onsemi MJD127G suministradas por sus distribuidores.

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
IHS
8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
onsemi
Bipolar Transistors (BJT); MJD127G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 100 V; 8 A
Maritex
MJD Series PNP 20 W 100 V 8 A Surface Mount Darlington Transistor - TO-252-3
Future Electronics
Darlington Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Avnet
TRANSISTOR, DARLINGTON, SI, PNP, AMPLIFIER, POWER, VO 100VDC, VI 5VDC, IO 8ADC, PD 20W
RS (Formerly Allied Electronics)
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V; Transistor Polarity:PNP; No. of Pins:4Pins; Transistor Mounting:Surface Mount; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Qualification:AEC-Q101; Collector Emitter Voltage Max:100V RoHS Compliant: Yes
Newark
DARLINGTON TRANSISTOR, D-PAK; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 1.75W; DC Collector Current: -8A; DC Current Gain hFE: 12hFE; Transistor Case
Farnell
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 8 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 100 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 100 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Power Dissipation (Pd) W = 20 / Package Type = DPAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tube / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 4 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) V = 4.5 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Distrelec

Imágenes

Distrelec
Augswan
Farnell
JRH Electronics
Farnell
Newark
DKO Electronshik
TME
Distrelec
iiiC
Future Electronics
element14
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • MJD 127G
  • MJD127G.